力旺NeoFuse矽智財成功導入聯電28奈米 HV製程 搶攻OLED市場

聯華電子表示，力旺電子一次可編程(OTP)記憶體矽智財NeoFuse已成功導入聯電28奈米高壓(HV)製程，強攻有機發光二極體(OLED)市場，關鍵客戶已經完成設計定案(Tape Out)並準備量產。

力旺業務發展中心副總何明洲表示:「繼之前與聯電合作的各高壓製程平台佈建力旺的各式解決方案，我們非常開心可以與聯電進一步在28奈米高壓製程的合作，因應OLED市場的需求，為客戶帶來最大的價值。」

聯電矽智財研發暨設計支援處林子惠處長也表示:「力旺NeoFuse矽智財與聯電28奈米高壓製程的合作，使我們的客戶得以客製化IC以符合OLED市場的高規需求。他更補充，不管是之前的55奈米、40奈米到現在的28奈米高壓製程，聯電與力旺的合作成果都是非常正面的，我們客戶在各種顯示器應用市場大有斬獲，其中當然也包括OLED市場。」

高階手機配備OLED顯示器已然成為趨勢，對小尺寸顯示器驅動晶片(SDDI)效能要求亦更高，這樣的需求也顯示在製程平台的選擇上，OLED關鍵客戶逐漸從55奈米或40奈米往更先進的28奈米高壓製程靠攏。

28奈米高壓製程可使高效能顯示器引擎的複雜運算能力發揮最大功能，提供OLED顯示器驅動晶片更快的資料存取速度，更高容量的靜態隨機存取記憶體(SRAM)及更好的功耗，同時達到高畫質與省電的的目的。

聯電在2019年的小尺寸顯示器驅動晶片(SDDI)量產晶圓出貨量為全球之冠，其28奈米後閘式(Gate-Last) HKMG製程具備優越管理漏電功耗與動態功率表現，可以提升行動裝置的電池壽命，以此為基礎，其28奈米高壓製程提供業界最小的靜態隨機存取記憶體(SRAM)記憶單位(Bit-cell)以減少晶片整體面積。

力旺是世界領導之邏輯非揮發性記憶體矽智財廠商，其NeoFuse矽智財為各種類型之應用提供低功耗、高可靠度、高安全性之解決方案，已經廣泛佈建於世界各大晶圓廠，從0.15um製程至先進製程節點均已佈建，未來也將繼續與晶圓廠緊密合作，為客戶創造最大利潤與價值。

聯電
聯華電子為全球半導體晶圓專工業界的領導者，提供成熟和先進製程的晶圓製造服務，近年來尤其專注於特殊技術，為跨越電子行業的各項主要應用產品生產晶片。聯電完整的解決方案能讓晶片設計公司利用尖端製程的優勢，包括28奈米High-K/Metal Gate後閘極技術、14奈米量產，提供專為AI，5G和IoT應用設計的製程平台；另擁有汽車行業最高評級的AEC-Q100 Grade-0製造能力，可用於生產汽車中的晶片。 聯電現共有十二座晶圓廠，策略性地遍及亞洲各地，每月可生產超過70萬片晶圓。聯電在全球約19,000名員工，在台灣、中國、歐洲、日本、韓國、新加坡及美國均設有服務據點，以滿足全球客戶的需求。

力旺電子
力旺電子是全球知名的領導半導體矽智財供應商，專精嵌入式Hard IP設計。自2000年成立以來，力旺持續提供全球1,550多家晶圓廠、整合元件廠和IC設計公司一流的矽智財解決方案。自台積公司2010年創設「IP Partner Award」以來，力旺每年都以卓越的IP設計及服務獲得此一獎項的肯定。
力旺在全球嵌入式非揮發性記憶體市場(embedded Non-volatile Memory)位居領導地位，其eNVM解決方案廣泛布建於全球主要晶圓廠製程，涵蓋製程技術之廣位居業界之冠。此外，力旺也領先業界以矽晶圓生物特徵開發其特有的晶片安全矽智財。
力旺的eNVM 矽智財系列包括可一次編寫記憶體 (NeoBit/NeoFuse)、可多次編寫記憶體 (NeoMTP/NeoFlash/NeoEE)以及晶片安全矽智財NeoPUF。

公司名稱：聯華電子
網址：http://www.umc.com

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